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Mosfet-Transistor IRF520N

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Artikelnummer: TRAN3003 Kategorien: ,

Beschreibung Mosfet-Transistor IRF520N

Der IRF520N ist ein N-Kanal-HEXFET®-LeistungsmOSFET. Es hat einen geringen Widerstand pro Siliziumfläche und eine schnelle Schaltleistung. Dieser Mosfet hat ein robustes Design und ist sehr effizient.

Eigenschaften IRF520N

  • Typ: IRF520NPBF
  • Transistorpolarität: N-Kanal
  • Drainquellenspannung Vds: 100V
  • Dauerentladestrom ID: 9.7A
  • Ein Widerstand Rds (Ein): 0.2 Ohm
  • Transistorgehäuse: TO-220AB
  • Transistormontage: Durchgangsloch
  • Rds (ein) Prüfspannung Vgs: 10V
  • Schwellenspannung Vgs: 4V
  • Leistungsverlust Pd: 47W
  • Anzahl der Stifte: 3 Stifte
  • Betriebstemperatur max: 175 ° C.

Datenblatt IRF520NPBF

Datenblatt

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