Kostenloser Versand ab €74,95 NL

Vor 16:00 bestelt = Heute versendet

Schnelle Lieferung mit DHL

XNUMX Tage Rückgaberecht *


Land

Mosfet-Transistor IRF520NPbF

1,45 /1,20 exkl. MwSt

8 auf Lager

  • Kostenloser Versand ab 74,95 € NL. (99,95 € BE / DE)
  • Bestellt vor 16:00 Uhr morgen Drinnen
  • Express bestellt vor 10:30 Uhr = heute Abend Zuhause*
  • 14 Tage kostenlose Rückkehr *
  • Kann auch bei uns in Leusden abgeholt werden!
Artikelnummer: TRAN2001 Kategorien: ,

Beschreibung Mosfet-Transistor IRF520NPbF

Der Mosfet-Transistor IRF520NPbF, ein Beispiel der fünften HEXFET-Generation von International Rectifier, wurde mit fortschrittlichen Prozesstechniken entwickelt, um einen außergewöhnlich niedrigen Widerstand pro Siliziumoberfläche zu erreichen. Dieses Produkt zeichnet sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten aus und ist auf Robustheit ausgelegt, was es zu einer äußerst effizienten und zuverlässigen Wahl für eine Vielzahl von Anwendungen macht. Darüber hinaus ist das Gerät vollständig lawinensicher und kann bei Temperaturen von bis zu 175 °C betrieben werden, wodurch es für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist. Der IRF520NPbF wird im TO-220-Gehäuse geliefert, einem Industriestandard, der für seinen geringen Wärmewiderstand und seine Kosteneffizienz für Anwendungen bis etwa 50 Watt bekannt ist. Dadurch eignet sich der Transistor ideal für kommerzielle und industrielle Anwendungen, bei denen Zuverlässigkeit und Effizienz entscheidend sind.

Verfügt über den Mosfet-Transistor IRF520NPbF

  • Fortschrittliche Prozesstechnologie für niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumoberfläche.
  • Dynamische dv/dt-Bewertung, geeignet für schnell schaltende Anwendungen.
  • Beständig gegen komplette Lawinen, wodurch das Gerät auch unter extremen Bedingungen sicher ist.
  • Kann bei Temperaturen von bis zu 175 °C betrieben werden, ideal für anspruchsvolle Industrieanwendungen.
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit für effizienten Betrieb.
  • TO-220-Verpackungen bieten einen geringen thermischen Widerstand und werden in der Branche weithin akzeptiert.
  • Bleifreies, umweltfreundlicheres Design.
  • Maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 9.7 A bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V.
  • Drain-zu-Source-Spannung (VDSS) von 100 V und ein statischer Drain-zu-Source-Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0.20 Ω.
  • Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, von der Energieverwaltung bis hin zu Schaltsteuerungen.

 

Datenblatt: Datenblatt_irf520npbf

Bewertungen

Es geben nog geen Beoordelingen.

Seien Sie der Erste, der "Mosfet Transistor IRF520NPbF" bewertet

Die Email-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind markiert * *