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Mosfet-Transistor IRF540N

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Artikelnummer: TRAN3002 Kategorien: ,

Beschreibung Mosfet-Transistor IRF540N

Der IRF540N ist ein 100-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 3-poligen TO-220AB-Gehäuse. Es verwendet fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Darüber hinaus bietet der IRF540N eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Dies macht diesen Mosfet effizient und zuverlässig.

Eigenschaften IRF540N

  • Typ: IRF540NPbF
  • Transistorpolarität: N-Kanal
  • Drainquellenspannung Vds: 100V
  • Dauerentladestrom ID: 33A
  • Bei Widerstandsabständen (ein): 0,044 Ohm
  • Transistorgehäuse: TO-220AB
  • Transistormontage: Durchgangsloch
  • Rds (ein) Prüfspannung Vgs: 10V
  • Schwellenspannung Vgs: 4V
  • Leistungsverlust Pd: 130W
  • Anzahl der Stifte: 3 Stifte
  • Betriebstemperatur: -55 ° C bis 175 ° C.

Datenblatt IRF540NPBF

Datenblatt

2 Bewertungen für Mosfet-Transistor IRF540N

  1. Twan Van Rijt (überprüfter Besitzer) -

    Sieht gut aus, konnte es aber noch nicht testen.

  2. Theo Faber (überprüfter Besitzer) -

    xxxxxxxxxxxxxxxx

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