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Mosfet-Transistor IRLZ34N

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Artikelnummer: TRAN3001 Kategorien: ,

Beschreibung Mosfet-Transistor IRLZ34N

Der IRLZ34N ist ein N-Kanal-HEXFET®-LeistungsmOSFET. Es hat einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche und eine schnelle Schaltleistung. Es ist ein zuverlässiges Modul, das in verschiedenen Anwendungen eingesetzt werden kann.

Eigenschaften IRLZ34N

  • Typ: IRLZ34NPBF
  • Transistorpolarität: N-Kanal
  • Drainquellenspannung Vds: 55V
  • Dauerentladestrom ID: 27A
  • Bei Widerstandsabständen (ein): 0,035 Ohm
  • Transistorgehäuse: TO-220AB
  • Transistormontage: Durchgangsloch
  • Rds (ein) Prüfspannung Vgs: 10V
  • Schwellenspannung Vgs: 2V
  • Leistungsverlust Pd: 56W
  • Anzahl der Stifte: 3 Stifte
  • Betriebstemperatur max: 175 ° C.
  • Dynamische DV / DT-Bewertung
  • Gate-Laufwerk auf Logikebene
  • Fortschrittliche Prozesstechnologie

Datenblatt IRLZ34NPBF

Datenblatt

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