Mosfet-Transistor IRLZ34N
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Beschreibung Mosfet-Transistor IRLZ34N
Der MOSFET-Transistor IRLZ34N ist eine leistungsstarke Komponente für elektronische Schaltkreise. Dieser N-Kanal HEXFET® Power MOSFET zeichnet sich durch seinen geringen Einschaltwiderstand aus. Dadurch ist es äußerst effizient im Einsatz. Es schaltet schnell, was für dynamische Anwendungen unerlässlich ist. Aufgrund seiner Zuverlässigkeit eignet es sich für ein breites Anwendungsspektrum. Ob für Energiemanagement oder Signalverarbeitung, der IRLZ34N ist eine ausgezeichnete Wahl. Seine Vielseitigkeit und Leistung machen es unverzichtbar in modernen Elektronikdesigns.
Eigenschaften IRLZ34N
- Typ: IRLZ34NPBF
- Transistorpolarität: N-Kanal
- Drainquellenspannung Vds: 55V
- Dauerentladestrom ID: 27A
- Bei Widerstandsabständen (ein): 0,035 Ohm
- Transistorgehäuse: TO-220AB
- Transistormontage: Durchgangsloch
- Rds (ein) Prüfspannung Vgs: 10V
- Schwellenspannung Vgs: 2V
- Leistungsverlust Pd: 56W
- Anzahl der Stifte: 3 Stifte
- Betriebstemperatur max: 175 ° C.
- Dynamische DV / DT-Bewertung
- Gate-Laufwerk auf Logikebene
- Fortschrittliche Prozesstechnologie
Thijs Snel (überprüfter Besitzer) -
Nichts zu beachten