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Transistor P-Kanal Mosfet – 40V 120A

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Artikelnummer: TRAN3013 Kategorien: ,

Beschreibung Transistor P-Kanal Mosfet – 40V 120A

Der Transistor-P-Kanal-Mosfet – 40 V 120 A, Typ IPP120P04P4L03AKSA2, ist ein hochwertiges Bauteil für elektronische Schaltungen. Dieser Transistor mit P-Kanal ist für eine effiziente Stromregelung ausgelegt. Die Drain-Source-Spannung von 40 V macht ihn für verschiedene Anwendungen geeignet. Mit einem beeindruckenden Dauerentladestrom von 120 A bietet es ausreichend Kapazität für anspruchsvolle Aufgaben. Der geringe Widerstand von nur 0.0029 Ohm im eingeschalteten Zustand sorgt für weniger Leistungsverlust und erhöhte Effizienz. Das Gehäuse vom Typ TO-220 garantiert Langlebigkeit und Zuverlässigkeit. Die Durchsteckmontage gewährleistet eine robuste und stabile Installation. Der Transistor verfügt über eine Rds-Testspannung (Ein) von 10 V und eine Schwellenspannung von 1,7 V, was einen flexiblen und präzisen Betrieb gewährleistet. Die maximale Verlustleistung von 136 W zeigt seine Robustheit unter intensiven Bedingungen. Mit drei Pins ist die Verbindung einfach und zuverlässig. Dieser Transistor ist für den Betrieb bei Temperaturen von bis zu 175 °C ausgelegt und eignet sich daher gut für raue Umgebungen.

Eigenschaften Transistor P-Kanal Mosfet  - 40V 120A

  • Type: IPP120P04P4L03AKSA2
  • Transistorpolarität: P-Kanal
  • Drainquellenspannung Vds: 40V
  • Dauerentladestrom ID: 120A
  • Ein Widerstand Rds (ein): 0.0029 Ohm
  • Transistorgehäuse: TO-220
  • Transistormontage: Durchgangsloch
  • Rds (ein) Prüfspannung Vgs: 10V
  • Schwellenspannung Vgs: 1,7V
  • Leistungsverlust Pd: 136W
  • Anzahl der Stifte: 3 Stifte
  • Betriebstemperatur max: 175 ° C.

Datasheet IPP120P04P4L03AKSA2

Datenblatt

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