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N-Kanal-MOSFET BS170

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Artikelnummer: TRAN3004 Kategorien: ,

Beschreibung N-Kanal-MOSFET BS170

Der BS170 ist ein N-Kanal-Feldeffekttransistor. Es wird unter Verwendung der DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Luftwiderstand im Zustand zu minimieren. Gleichzeitig bietet es eine robuste, zuverlässige und schnelle Schaltleistung. Der MOSFET kann in den meisten Anwendungen verwendet werden, die bis zu 500 mA Gleichstrom erfordern. Es eignet sich auch für Niederspannungs- und Niedrigstromanwendungen wie:
Kleiner Servomotortreiber, Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber und andere Schaltanwendungen.

Eigenschaften BS170

  • Transistorpolarität: N-Kanal
  • Drainquellenspannung Vds: 60V
  • Dauerentladestrom ID: 500mA
  • Bei Widerstandsabständen (ein): 1,2 Ohm
  • Transistorgehäuse: TO-92
  • Transistormontage: Durchgangsloch
  • Rds (ein) Prüfspannung Vgs: 10V
  • Schwellenspannung Vgs: 2.1V
  • Leistungsverlust Pd: 830 mW
  • Anzahl der Stifte: 3 Stifte
  • Betriebstemperatur max: 150 ° C.

Datenblatt IRF520NPBF

Datenblatt

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