Transistor Mosfet IRF520N
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Description Transistor Mosfet IRF520N
L'IRF520N est un MOSFET de puissance HEXFET® à canal N. Il a une faible résistance par zone de silicium et des performances de commutation rapides. Ce mosfet a une conception robuste et est très efficace.
Caractéristiques IRF520N
- Type de produit: IRF520NPBF
- Polarité du transistor: canal N
- Tension de la source de vidange Vds: 100 V
- ID de courant de décharge continue: 9.7A
- Sur résistance Rds (On): 0.2ohm
- Boîtier de transistor: TO-220AB
- Montage du transistor: trou traversant
- Rds (on) Tension d'essai Vgs: 10 V
- Tension de seuil Vgs: 4V
- Puissance dissipée Pd: 47W
- Nombre de broches: 3 broches
- Température de fonctionnement Max: 175 ° C
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