Transistor Mosfet IRF520NPbF

Description du transistor Mosfet IRF520NPbF

Le transistor Mosfet IRF520NPbF, un exemple de la cinquième génération d'HEXFET d'International Rectifier, est conçu avec des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance exceptionnellement faible par surface de silicium. Ce produit excelle dans les vitesses de commutation rapides et est conçu pour être robuste, ce qui en fait un choix extrêmement efficace et fiable pour une large gamme d'applications. De plus, l'appareil est entièrement résistant aux avalanches et peut fonctionner à des températures allant jusqu'à 175°C, ce qui le rend adapté aux environnements exigeants. L'IRF520NPbF est livré dans un boîtier TO-220, une norme industrielle connue pour sa faible résistance thermique et sa rentabilité pour les applications jusqu'à environ 50 watts. Cela rend le transistor idéal pour les applications commerciales et industrielles où la fiabilité et l'efficacité sont cruciales.

Caractéristiques Transistor Mosfet IRF520NPbF

• Technologie de processus avancée pour une faible résistance à l'état passant par surface de silicium.
• Indice dv/dt dynamique, adapté aux applications à commutation rapide.
• Résistant aux avalanches complètes, ce qui rend l'appareil sûr dans des conditions extrêmes.
• Peut fonctionner à des températures allant jusqu'à 175°C, idéal pour les applications industrielles exigeantes.
• Vitesse de commutation rapide pour un fonctionnement efficace.
• L'emballage TO-220 offre une faible résistance thermique et est largement accepté dans l'industrie.
• Conception sans plomb et plus respectueuse de l'environnement.
• Courant de drain continu maximum de 9.7 A à une tension grille-source de 10 V.
• Tension drain-source (VDSS) de 100 V et résistance statique drain-source (RDS(on)) de 0.20 Ω.
• Convient à une large gamme d'applications, de la gestion de l'alimentation aux commandes de commutation.

Fiche technique: fiche technique_irf520npbf