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Transistor Mosfet IRF540N

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Numéro d'objet: TRAN3002 catégories: ,

Description Transistor Mosfet IRF540N

L'IRF540N est un MOSFET de puissance HEXFET à canal unique 100 V dans un boîtier TO-3AB à 220 broches. Il utilise des techniques de traitement avancées pour obtenir une faible résistance par zone de silicium. De plus, l'IRF540N offre une vitesse de commutation élevée. Cela rend ce mosfet efficace et fiable.

Caractéristiques IRF540N

  • Type de produit: IRF540NPbF
  • Polarité du transistor: canal N
  • Tension de la source de vidange Vds: 100 V
  • ID de courant de décharge continue: 33A
  • Aux distances de résistance (marche): 0,044 ohm
  • Boîtier de transistor: TO-220AB
  • Montage du transistor: trou traversant
  • Rds (on) Tension d'essai Vgs: 10 V
  • Tension de seuil Vgs: 4V
  • Puissance dissipée Pd: 130W
  • Nombre de broches: 3 broches
  • Température de fonctionnement: -55 ° C à 175 ° C

Fiche technique IRF540NPBF

Fiche technique

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