Transistor Mosfet IRLZ34N
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Description Transistor Mosfet IRLZ34N
Le transistor Mosfet IRLZ34N est un composant puissant pour les circuits électroniques. Ce MOSFET de puissance HEXFET® à canal N se distingue par sa faible résistance à l'activation. Cela le rend extrêmement efficace à utiliser. Il bascule rapidement, ce qui est essentiel pour les applications dynamiques. Sa fiabilité le rend adapté à une large gamme d'applications. Que ce soit pour la gestion de l'alimentation ou le traitement du signal, l'IRLZ34N est un excellent choix. Sa polyvalence et ses performances le rendent indispensable dans les conceptions électroniques modernes.
Caractéristiques IRLZ34N
- Type de produit: IRLZ34NPBF
- Polarité du transistor: canal N
- Tension de la source de vidange Vds: 55 V
- ID de courant de décharge continue: 27A
- Aux distances de résistance (marche): 0,035 ohm
- Boîtier de transistor: TO-220AB
- Montage du transistor: trou traversant
- Rds (on) Tension d'essai Vgs: 10 V
- Tension de seuil Vgs: 2V
- Puissance dissipée Pd: 56W
- Nombre de broches: 3 broches
- Température de fonctionnement Max: 175 ° C
- Classification DV / DT dynamique
- Commande de porte de niveau logique
- Technologie de processus avancée
Thijs Snel (propriétaire vérifié) -
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