Mosfet Transistor IRF520NPbF

Beschrijving Mosfet Transistor IRF520NPbF

De Mosfet Transistor IRF520NPbF, een toonbeeld van International Rectifier's vijfde generatie HEXFETs, is ontworpen met geavanceerde procestechnieken om een uitzonderlijk lage weerstand per siliciumoppervlakte te bereiken. Dit product blinkt uit in snelle schakelsnelheden en is ontwikkeld voor robuustheid, waardoor het een uiterst efficiënte en betrouwbare keuze is voor een breed scala aan toepassingen. Verder is het apparaat volledig bestand tegen lawines en kan het werken bij temperaturen tot 175°C, waardoor het geschikt is voor veeleisende omgevingen. De IRF520NPbF wordt geleverd in een TO-220 verpakking, een industrie-standaard die bekend staat om zijn lage thermische weerstand en kostenefficiëntie voor toepassingen tot ongeveer 50 watt. Dit maakt de transistor ideaal voor commerciële en industriële toepassingen waar betrouwbaarheid en efficiëntie cruciaal zijn.

Kenmerken Mosfet Transistor IRF520NPbF

• Geavanceerde procestechnologie voor lage on-weerstand per siliciumoppervlakte.
• Dynamische dv/dt-rating, geschikt voor snelle schakeltoepassingen.
• Bestand tegen volledige lawines, waardoor het apparaat veilig is in extreme omstandigheden.
• Kan opereren bij temperaturen tot 175°C, ideaal voor veeleisende industriële toepassingen.
• Snelle schakelsnelheid voor efficiënte werking.
• TO-220 verpakking biedt een lage thermische weerstand en is breed geaccepteerd in de industrie.
• Loodvrij, milieuvriendelijker ontwerp.
• Maximaal continue drainstroom van 9.7A bij een gate-source spanning van 10V.
• Drain-to-Source spanning (VDSS) van 100V en een statische Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) van 0.20Ω.
• Geschikt voor een breed scala aan toepassingen, van stroombeheer tot schakelregelingen.

Datasheet: datasheet_irf520npbf