Transistor P-Kanal Mosfet – 40V 120A
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Beschreibung Transistor P-Kanal Mosfet – 40V 120A
Der Transistor-P-Kanal-Mosfet – 40 V 120 A, Typ IPP120P04P4L03AKSA2, ist ein hochwertiges Bauteil für elektronische Schaltungen. Dieser Transistor mit P-Kanal ist für eine effiziente Stromregelung ausgelegt. Die Drain-Source-Spannung von 40 V macht ihn für verschiedene Anwendungen geeignet. Mit einem beeindruckenden Dauerentladestrom von 120 A bietet es ausreichend Kapazität für anspruchsvolle Aufgaben. Der geringe Widerstand von nur 0.0029 Ohm im eingeschalteten Zustand sorgt für weniger Leistungsverlust und erhöhte Effizienz. Das Gehäuse vom Typ TO-220 garantiert Langlebigkeit und Zuverlässigkeit. Die Durchsteckmontage gewährleistet eine robuste und stabile Installation. Der Transistor verfügt über eine Rds-Testspannung (Ein) von 10 V und eine Schwellenspannung von 1,7 V, was einen flexiblen und präzisen Betrieb gewährleistet. Die maximale Verlustleistung von 136 W zeigt seine Robustheit unter intensiven Bedingungen. Mit drei Pins ist die Verbindung einfach und zuverlässig. Dieser Transistor ist für den Betrieb bei Temperaturen von bis zu 175 °C ausgelegt und eignet sich daher gut für raue Umgebungen.
Eigenschaften Transistor P-Kanal Mosfet - 40V 120A
- Type: IPP120P04P4L03AKSA2
- Transistorpolarität: P-Kanal
- Drainquellenspannung Vds: 40V
- Dauerentladestrom ID: 120A
- Ein Widerstand Rds (ein): 0.0029 Ohm
- Transistorgehäuse: TO-220
- Transistormontage: Durchgangsloch
- Rds (ein) Prüfspannung Vgs: 10V
- Schwellenspannung Vgs: 1,7V
- Leistungsverlust Pd: 136W
- Anzahl der Stifte: 3 Stifte
- Betriebstemperatur max: 175 ° C.
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