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Transistor canal P Mosfet – 40 V 120 A

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Numéro d'article: TRAN3013 catégories: ,

Description Transistor Canal P Mosfet – 40V 120A

Le Transistor Canal P Mosfet - 40V 120A, type IPP120P04P4L03AKSA2, est un composant de haute qualité pour circuits électroniques. Ce transistor, doté d'un canal P, est conçu pour une régulation efficace du courant. La tension drain source de 40 V le rend adapté à diverses applications. Avec un courant de décharge continu impressionnant de 120 A, il offre une capacité suffisante pour les tâches lourdes. La faible résistance de seulement 0.0029 ohms à la mise sous tension garantit moins de perte de puissance et une efficacité accrue. Le boîtier, de type TO-220, garantit durabilité et fiabilité. Sa méthode de montage traversant garantit une installation robuste et stable. Le transistor a une tension de test Rds (on) de 10 V et une tension de seuil de 1,7 V, garantissant un fonctionnement flexible et précis. La perte de puissance maximale de 136 W montre sa robustesse dans des conditions intensives. Avec trois broches, la connexion est simple et fiable. Ce transistor est conçu pour fonctionner à des températures allant jusqu'à 175°C, ce qui le rend bien adapté aux environnements difficiles.

Caractéristiques Transistor Canal P Mosfet  - 40V 120A

  • Type: IPP120P04P4L03AKSA2
  • Polarité du transistor : canal P
  • Tension de la source de vidange Vds: 40 V
  • ID de courant de décharge continue: 120A
  • Sur résistance Rds (on): 0.0029ohm
  • Boîtier de transistor: TO-220
  • Montage du transistor : trou traversant
  • Rds (on) Tension d'essai Vgs: 10 V
  • Tension de seuil Vgs: 1,7V
  • Puissance dissipée Pd: 136W
  • Nombre de broches: 3 broches
  • Température de fonctionnement Max: 175 ° C

Datasheet IPP120P04P4L03AKSA2

Fiche technique

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