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Transistor Mosfet IRF520N

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Numéro d'objet: TRAN3003 catégories: ,

Description Transistor Mosfet IRF520N

L'IRF520N est un MOSFET de puissance HEXFET® à canal N. Il a une faible résistance par zone de silicium et des performances de commutation rapides. Ce mosfet a une conception robuste et est très efficace.

Caractéristiques IRF520N

  • Type de produit: IRF520NPBF
  • Polarité du transistor: canal N
  • Tension de la source de vidange Vds: 100 V
  • ID de courant de décharge continue: 9.7A
  • Sur résistance Rds (On): 0.2ohm
  • Boîtier de transistor: TO-220AB
  • Montage du transistor: trou traversant
  • Rds (on) Tension d'essai Vgs: 10 V
  • Tension de seuil Vgs: 4V
  • Puissance dissipée Pd: 47W
  • Nombre de broches: 3 broches
  • Température de fonctionnement Max: 175 ° C

Fiche technique IRF520NPBF

Fiche technique

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