MOSFET a canale N BS170
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Descrizione MOSFET a canale N BS170
Il MOSFET BS170 è un transistor ad effetto di campo a canale N. È prodotto utilizzando la tecnologia DMOS ad alta densità cellulare. Questo processo ad altissima densità è progettato per ridurre al minimo la resistenza nella condizione† Allo stesso tempo, offre prestazioni di cambiata robuste, affidabili e veloci. Il MOSFET può essere utilizzato nella maggior parte delle applicazioni che richiedono fino a 500 mA CC. È adatto anche per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente come:
Servomotore di piccole dimensioni, gate driver MOSFET di potenza e altre applicazioni di commutazione.
Dispone di MOSFET BS170
- Polarità transistor: canale N
- Tensione sorgente di scarica Vds: 60V
- ID corrente di scarico continuo: 500 mA
- Sulle distanze di resistenza (acceso): 1,2 ohm
- Involucro del transistor: TO-92
- Montaggio transistor: foro passante
- Rds (on) Tensione di prova Vgs: 10V
- Tensione di soglia Vgs: 2.1V
- Potenza dissipata Pd: 830 mW
- Numero di pin: 3 pin
- Temperatura di esercizio Max: 150°C
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