Transistor Mosfet IRF520NPbF

Descrizione Transistor Mosfet IRF520NPbF

Il transistor Mosfet IRF520NPbF, un esempio della quinta generazione di HEXFET di International Rectifier, è progettato con tecniche di processo avanzate per ottenere una resistenza eccezionalmente bassa per area superficiale del silicio. Questo prodotto eccelle in termini di velocità di commutazione elevate ed è progettato per garantire robustezza, rendendolo una scelta estremamente efficiente e affidabile per un'ampia gamma di applicazioni. Inoltre, il dispositivo è completamente resistente alle valanghe e può funzionare a temperature fino a 175°C, rendendolo adatto ad ambienti difficili. L'IRF520NPbF è disponibile in confezione TO-220, uno standard di settore noto per la sua bassa resistenza termica e il suo rapporto costo-efficacia per applicazioni fino a circa 50 watt. Ciò rende il transistor ideale per applicazioni commerciali e industriali in cui l'affidabilità e l'efficienza sono cruciali.

Caratteristiche Transistor Mosfet IRF520NPbF

• Tecnologia di processo avanzata per una bassa resistenza su ogni superficie di silicio.
• Classificazione dv/dt dinamica, adatta per applicazioni a commutazione rapida.
• Resistente alle valanghe complete, rendendo il dispositivo sicuro in condizioni estreme.
• Può funzionare a temperature fino a 175°C, ideale per applicazioni industriali esigenti.
• Velocità di commutazione elevata per un funzionamento efficiente.
• L'imballaggio TO-220 offre una bassa resistenza termica ed è ampiamente accettato nel settore.
• Design senza piombo e più rispettoso dell'ambiente.
• Corrente di drain continua massima di 9.7 A con una tensione gate-source di 10 V.
• Tensione Drain-to-Source (VDSS) di 100 V e resistenza On-Resistance statica Drain-to-Source (RDS(on)) di 0.20 Ω.
• Adatto per un'ampia gamma di applicazioni, dalla gestione dell'alimentazione ai controlli di commutazione.

foglio di dati: scheda_dati_irf520npbf