Transistor Mosfet IRF540N
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Descrizione Transistor Mosfet IRF540N
L'IRF540N è un MOSFET di potenza HEXFET a canale singolo da 100 V in un contenitore TO-3AB a 220 pin. Utilizza tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una bassa resistenza per area di silicio† Inoltre, l'IRF540N offre un'elevata velocità di commutazione. Questo rende questo mosfet efficiente e affidabile.
Dispone di IRF540N
- Tipo: IRF540NPbF
- Polarità transistor: canale N
- Tensione sorgente di scarica Vds: 100V
- ID corrente di scarico continuo: 33 A
- Sulle distanze di resistenza (acceso): 0,044ohm
- Custodia transistor: TO-220AB
- Montaggio transistor: foro passante
- Rds (on) Tensione di prova Vgs: 10V
- Tensione di soglia Vgs: 4V
- Potenza dissipata Pd: 130W
- Numero di pin: 3 pin
- Temperatura di esercizio: da -55°C a 175°C
Twan Van Rijt (proprietario verificato) -
Sembra buono ma non ho ancora potuto testarlo.
Teo Faber (proprietario verificato) -
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