Mosfet a canale P a transistor – 40 V 120 A
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Descrizione Mosfet a canale P a transistor – 40V 120A
Il Transistor P Channel Mosfet - 40V 120A, tipo IPP120P04P4L03AKSA2, è un componente di alta qualità per circuiti elettronici. Questo transistor, con un canale P, è progettato per un'efficiente regolazione della corrente. La tensione della sorgente di drain di 40 V lo rende adatto a varie applicazioni. Con un'impressionante corrente di scarica continua di 120 A, offre ampia capacità per attività pesanti. La bassa resistenza di soli 0.0029 ohm all'accensione garantisce una minore perdita di potenza e una maggiore efficienza. L'alloggiamento, tipo TO-220, garantisce durata e affidabilità. Il suo metodo di montaggio a foro passante garantisce un'installazione robusta e stabile. Il transistor ha una tensione di prova Rds (on) di 10 V e una tensione di soglia di 1,7 V, garantendo un funzionamento flessibile e preciso. La perdita di potenza massima di 136 W mostra la sua robustezza in condizioni intense. Con tre pin, la connessione è semplice e affidabile. Questo transistor è progettato per funzionare a temperature fino a 175°C, rendendolo particolarmente adatto per ambienti difficili.
Caratteristiche Mosfet a canale P a transistor -40 V 120 A
- Type: IPP120P04P4L03AKSA2
- Polarità transistor: canale P
- Tensione sorgente di scarica Vds: 40V
- ID corrente di scarico continuo: 120 A
- On Resistance Rds (on): 0.0029ohm
- Involucro del transistor: TO-220
- Montaggio transistor: foro passante
- Rds (on) Tensione di prova Vgs: 10V
- Tensione di soglia Vgs: 1,7V
- Potenza dissipata Pd: 136W
- Numero di pin: 3 pin
- Temperatura di esercizio Max: 175°C
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