Transistor Mosfet IRF520N
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Descrizione Transistor Mosfet IRF520N
L'IRF520N è un MOSFET di potenza HEXFET® a canale N. Ha una bassa resistenza per area di silicio e prestazioni di commutazione rapide. Questo mosfet ha un design robusto ed è molto efficiente.
Dispone di IRF520N
- Tipo: IRF520NPBF
- Polarità transistor: canale N
- Tensione sorgente di scarica Vds: 100V
- ID corrente di scarico continuo: 9.7 A
- On Resistance Rds (on): 0.2ohm
- Custodia transistor: TO-220AB
- Montaggio transistor: foro passante
- Rds (on) Tensione di prova Vgs: 10V
- Tensione di soglia Vgs: 4V
- Potenza dissipata Pd: 47W
- Numero di pin: 3 pin
- Temperatura di esercizio Max: 175°C
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